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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.68 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0113 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP80N06S2L-11 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| SPP80N06S2L-11 | ROCHESTER |
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80A, 55V, 0.0147ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
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| SPP80N06S2L-H5 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPP80N08S2-07 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| SPP80N08S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPP80N10L | INFINEON |
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SIPMOS Power-Transistor |
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| SPP80P06P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
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| SPP80P06P H | INFINEON |
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Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPP80P06PG | INFINEON |
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SIPMOSÒ Power-Transistor Features Enhancement |
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| SPP80P06PH | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 91A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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