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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPP80P06PG
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SPP80P06PG

更新时间： 2024-11-25 06:13:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 518K
描述
SIPMOSÒ Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated

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SPP80P06PG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.28Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：823 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：91 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：340 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPP80P06PG 数据手册

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SPP80P06P G  
SPB80P06P G  
SIPMOS Power-Transistor  
Features  
Product Summary  
• P-Channel  
Drain source voltage  
V
-60  
0.023  
-80  
V
A
DS  
• Enhancement mode  
• Avalanche rated  
Drain-source on-state resistance R  
DS(on)  
Continuous drain current  
I
D
• dv/dt rated  
• 175C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHs compliant  
• Qualified according to AEC Q101  
Pin 1 PIN 2/4 PIN 3  
Type  
Package  
Lead free  
G
D
S
SPP80P06P G  
SPB80P06P G  
PG-TO220-3 Yes  
PG-TO263-3  
Yes  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Continuous drain current  
I
D
A
1)  
T
25 °C,  
-80  
-64  
C =  
T = 100 °C  
C
Pulsed drain current  
I
-320  
D puls  
T = 25 °C  
C
Avalanche energy, single pulse  
E
E
823  
mJ  
AS  
AR  
I = -80 A , V = -25 V, R = 25  
D
DD  
GS  
Avalanche energy, periodic limited by T  
34  
6
jmax  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = -80 A, V = -48 , di/dt = 200 A/µs,  
S
DS  
T
= 175 °C  
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
±20  
340  
V
GS  
tot  
W
T = 25 °C  
C
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55...+175  
55/175/56  
°C  
j
stg  
1
Current limited by bondwire; with anRthJC = 0.4 K/W the chip is able to carry ID = -91A  
Rev 1.4 Page 1  
2009-11-19  
1234567...11

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SPP80P06PG 替代型号

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SPP80P06P INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPP80P06PH INFINEON

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