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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 27 A | 最大漏极电流 (ID)： | 27 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 300 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 450 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大开启时间（吨）： | 195 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP50N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package |
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| STP50N65DM6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package |
|
| STP50NE08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STP50NE10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET |
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| STP50NE10L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET |
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| STP50NF25 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 250V - 0.055ヘ - 45A - D2PAK - TO-22 |
|
| STP51 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-218AA |
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| STP5110AUPA-167 | ETC |
获取价格 |
64-Bit Microprocessor |
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| STP5111AUPA-200 | ETC |
获取价格 |
64-Bit Microprocessor |
|
| STP52 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA |
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