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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP50N06LFI
STP50N06LFI PDF预览

STP50N06LFI

更新时间： 2024-01-19 20:40:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 202K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

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STP50N06LFI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.29Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A最大漏极电流 (ID)：27 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：300 pFJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：40 W
最大功率耗散 (Abs)：450 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大开启时间（吨）：195 ns
Base Number Matches：1

STP50N06LFI 数据手册

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STP50N06L  
STP50N06LFI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP50N06L  
STP50N06LFI  
60 V  
60 V  
< 0.028 Ω  
< 0.028 Ω  
50 A  
27 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.024 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
2
1
1
HIGH CURRENT CAPABILITY  
LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
TO-220  
ISOWATT220  
CHARACTERIZATION  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP50N06L  
STP50N06LFI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
60  
60  
V
V
± 15  
V
50  
35  
27  
19  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
200  
150  
1
200  
45  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.3  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
July 1993  
1234567...10

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与STP50N06LFI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP50N60DM6 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
STP50N65DM6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
STP50NE08 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP50NE10 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP50NE10L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP50NF25 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 250V - 0.055ヘ - 45A - D2PAK - TO-22
STP51 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-218AA
STP5110AUPA-167 ETC

获取价格

 		64-Bit Microprocessor
STP5111AUPA-200 ETC

获取价格

 		64-Bit Microprocessor
STP52 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA

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