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STP50NE08

更新时间： 2024-09-27 22:50:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页 97K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

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STP50NE08 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP50NE08 数据手册

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STP50NE08  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP50NE08  
80 V  
<0.024 Ω  
50 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.020 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE AT 100 oC  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
2
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size  
1
”
TO-220  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a  
remarkable manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
80  
V
V
VDGR  
VGS  
ID  
80  
± 20  
V
50  
A
ID  
35  
A
I
DM(• )  
200  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
150  
W
Derating Factor  
1
6
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 50 A,di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, T ≤ TJMAX  
j
1/8  
March 1998  
12345678

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STP50NE08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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