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STGB10NB40LZT4 PDF预览

STGB10NB40LZT4

更新时间： 2024-11-18 21:56:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 483K
描述
N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT

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STGB10NB40LZT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.66
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：380 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
门极发射器阈值电压最大值：2.2 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：12000 ns标称接通时间 (ton)：1570 ns
Base Number Matches：1

STGB10NB40LZT4 数据手册

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STGB10NB40LZ  
N-CHANNEL CLAMPED 20A - D²PAK  
INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT  
TYPE  
V
V
I
C
CES  
CE(sat)  
STGB10NB40LZ  
CLAMPED  
< 1.8 V  
20 A  
■
■
■
■
■
■
POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN  
LOW THRESHOLD VOLTAGE  
LOW ON-VOLTAGE DROP  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE  
3
1
2
D PAK  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology based on a  
patented strip layout, STMicroelectronics has  
designed an advanced family of IGBTs, the  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
™
PowerMESH IGBTs, with outstanding  
performances. The built in collector-gate zener  
exhibits a very precise active clamping while the  
gate-emitter zener supplies an ESD protection.  
APPLICATIONS  
■
AUTOMOTIVE IGNITION  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
D2PAK  
PACKAGING  
STGB10NB40LZT4  
GB10NB40LZ  
TAPE & REEL  
August 2003  
1/10  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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