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STGB10NB40LZT4

更新时间： 2024-02-22 06:13:48

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	483K
描述
N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT

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STGB10NB40LZT4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.66
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	380 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
门极发射器阈值电压最大值：	2.2 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	AUTOMOTIVE IGNITION	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	12000 ns	标称接通时间 (ton)：	1570 ns
Base Number Matches：	1

STGB10NB40LZT4 数据手册

STGB10NB40LZ

N-CHANNEL CLAMPED 20A - D²PAK

INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT

TYPE

CES

CE(sat)

STGB10NB40LZ

CLAMPED

< 1.8 V

20 A

■

POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN

LOW THRESHOLD VOLTAGE

LOW ON-VOLTAGE DROP

LOW GATE CHARGE

HIGH CURRENT CAPABILITY

HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE

D PAK

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a

patented strip layout, STMicroelectronics has

designed an advanced family of IGBTs, the

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

™

PowerMESH IGBTs, with outstanding

performances. The built in collector-gate zener

exhibits a very precise active clamping while the

gate-emitter zener supplies an ESD protection.

APPLICATIONS

■

AUTOMOTIVE IGNITION

ORDERING INFORMATION

SALES TYPE

MARKING

PACKAGE

D²PAK

PACKAGING

STGB10NB40LZT4

GB10NB40LZ

TAPE & REEL

August 2003

1/10

12 3 4 5 6 7...10

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