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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 25页 | 1361K |  |
| 描述 | ||
| N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 13 weeks |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | ULTRA LOW-ON RESISTANCE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 70 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD80N240K6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package |
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| STD80N340K6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package |
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| STD80N3LL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道30 V、2 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET，D |
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| STD80N450K6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package |
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| STD80N4F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道40 V、5.5 mOhm典型值、80 A STripFET F6功率MOSF |
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| STD80N6F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道60 V、4.4 mOhm典型值、80 A STripFET(TM) VI D |
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| STD80N6F7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道60 V、6.8 mOhm典型值、40 A STripFET F7功率MOSFET， |
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| STD815CP40 | STMICROELECTRONICS |
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Complementary transistor pair in a single package |
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| STD826T4 | STMICROELECTRONICS |
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3A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| STD83003 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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