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STD80N6F6

更新时间： 2024-11-25 14:57:59

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
16页	789K
描述
汽车级N沟道60 V、4.4 mOhm典型值、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

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STD80N6F6 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.53	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STD80N6F6 数据手册

STD80N6F6

Automotive-grade N-channel 60 V, 4.4 mΩ typ., 80 A

STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package

Datasheet - production data

Features

Order code

V_DS

R_DS(on)max.

I_D

STD80N6F6

60 V

5 mΩ

80 A



AEC-Q101 qualified

Very low on-resistance

Very low gate charge

High avalanche ruggedness

Low gate drive power loss

Figure 1: Internal schematic diagram

Applications



Switching applications

D(2, TAB)

Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ F6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low R_DS(on)in all

packages.

G(1)

S(3)

AM01475v1_noZen

Table 1: Device summary

Marking Package

80N6F6 DPAK

Order code

Packaging

STD80N6F6

Tape and reel

May 2017

DocID023471 Rev 3

1/16

www.st.com

This is information on a product in full production.

12 3 4 5 6 7...16

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