STD5N62K3

更新时间： 2024-09-12 12:29:47

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
19页	1178K
描述
N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STD5N62K3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.71	其他特性：	ULTRA LOW-ON RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	620 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.2 A
最大漏极电流 (ID)：	4.2 A	最大漏源导通电阻：	1.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16.8 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STD5N62K3 数据手册

STB5N62K3, STD5N62K3, STF5N62K3

STP5N62K3, STU5N62K3

N-channel 620 V, 1.28 Ω, 4.2 A SuperMESH3™ Power MOSFET

D²PAK, DPAK,TO-220FP, TO-220 and IPAK

Features

R_DS(on)

max.

Order codes

V_DSS

I_D

P_w

STB5N62K3

STD5N62K3

70 W

DPAK

TO-220

TO-220FP

STF5N62K3

620 V

< 1.6 Ω

4.2 A 25 W

70 W

STP5N62K3

STU5N62K3

■ 100% avalanche tested

IPAK

D²PAK

■ Extremely large avalanche performance

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitance

■ Improved diode reverse recovery

characteristics

■ Zener-protected

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

D(2)

Switching applications

Description

G(1)

These devices are made using the

SuperMESH3™ Power MOSFET technology that

is obtained via improvements applied to

STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology

combined with a new optimized vertical structure.

The resulting product has an extremely low on

resistance, superior dynamic performance and

high avalanche capability, making it especially

suitable for the most demanding applications.

S(3)

AM01476v1

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Packages

Packaging

STB5N62K3

STD5N62K3

STF5N62K3

STP5N62K3

STU5N62K3

D²PAK

DPAK

Tape and reel

Tube

5N62K3

TO-220FP

TO-220

IPAK

Tube

October 2010

Doc ID 17361 Rev 2

1/19

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

STD5N62K3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STB5N62K3	STMICROELECTRONICS	完全替代	N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET
STD5NK50Z-1	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK

与STD5N62K3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD5N80K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道800 V、1.50 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET，DP
STD5N95K3	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3
STD5N95K3TRL	STMICROELECTRONICS	获取价格	4A, 950V, 3.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
STD5N95K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道950 V、2 Ohm典型值、3.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPA
STD5NB20	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 200V - 0.70ohm - 5A DPAK PowerMESHO MOSFET
STD5NB20T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA
STD5NB30	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 300V - 0.75 ohm - 5A - DPAK PowerMESH MOSFET
STD5NB30T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA
STD5NE10	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 100V - 0.32 ohm - 5A TO-251/TO-252 STripFET] POWER MOSFET
STD5NE10-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-251AA

与STD5N62K3相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

77
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

67
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

96
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

109

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STD5N62K3

STD5N62K3 技术参数

STD5N62K3 数据手册

STD5N62K3 替代型号

与STD5N62K3相关器件

与STD5N62K3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STD5N62K3

STD5N62K3 技术参数

STD5N62K3 数据手册

STD5N62K3 替代型号

与STD5N62K3相关器件

与STD5N62K3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？