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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD5NK50ZT4
STD5NK50ZT4 PDF预览

STD5NK50ZT4

更新时间： 2024-09-12 06:14:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
17页 453K
描述
N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET

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STD5NK50ZT4 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252AA包装说明：TO-252, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.7Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.4 A
最大漏极电流 (ID)：4.4 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：70 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：17.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD5NK50ZT4 数据手册

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STB5NK50Z/-1 - STD5NK50Z/-1  
STP5NK50Z - STP5NK50ZFP  
N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK  
Zener-Protected SuperMESH™MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
R
I
D
Pw  
DSS  
DS(on)  
STB5NK50Z  
STB5NK50Z-1  
STD5NK50Z  
STD5NK50Z-1  
STP5K50Z  
500 V  
500 V  
500 V  
500 V  
500 V  
500 V  
< 1.5 Ω  
< 1.5 Ω  
< 1.5 Ω  
< 1.5 Ω  
< 1.5 Ω  
< 1.5 Ω  
4.4 A  
4.4 A  
4.4 A  
4.4 A  
4.4 A  
4.4 A  
70 W  
70 W  
70 W  
70 W  
70 W  
25 W  
3
2
1
3
2
1
STP5K50ZFP  
2
TO-220FP  
I PAK  
TO-220  
■ TYPICAL R (on) = 1.22 Ω  
DS  
■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
■ IMPROVED ESD CAPABILITY  
■ 100% AVALANCHE RATED  
3
3
3
1
■ GATE CHARGE MINIMIZED  
2
1
1
■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
■ VERY GOOD MANUFACTURING  
REPEATIBILITY  
IPAK  
2
DPAK  
D PAK  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
DESCRIPTION  
The SuperMESH™ series is obtained through an  
extreme optimization of ST’s well established  
stripbased PowerMESH™ layout. In addition to  
pushing on-resistance significantly down, special  
care is taken to ensure a very good dv/dt capability  
for the most demanding applications. Such series  
complements ST full range of high voltage MOS-  
FETs including revolutionary MDmesh™ products.  
APPLICATIONS  
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
■ IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES,  
ADAPTORS AND PFC  
■ LIGHTING  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
2
STB5NK50ZT4  
B5NK50Z  
TAPE & REEL  
D PAK  
2
STB5NK50Z-1  
STD5NK50ZT4  
STD5NK50Z-1  
STP5NK50Z  
B5NK50Z  
D5NK50Z  
D5NK50Z  
P5NK50Z  
P5NK50ZFP  
TUBE  
TAPE & REEL  
TUBE  
I PAK  
DPAK  
IPAK  
TO-220  
TO-220FP  
TUBE  
STP5NK50ZFP  
TUBE  
Rev. 2  
September 2005  
1/17  
1234567...17

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STD5NK50ZT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STD15NF10T4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 100V - 0.060ohm- 23A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

与STD5NK50ZT4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD5NK52ZD STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK
STD5NK52ZD-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK
STD5NK60Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 1.2ohm - 5A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET
STD5NK60ZT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 1.2ohm - 5A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET
STD5NM50 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK/IPAK MDme
STD5NM50-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK/IPAK MDme
STD5NM50AG STMICROELECTRONICS

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 		Automotive-grade N-channel 500 V, 0.7 Ohm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a DPAK packag
STD5NM50T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD5NM60 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.8ohm - 5A DPAK MDmesh Power MOSFET
STD5NM60_08 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh™ Pow

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