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STD5NM50

更新时间： 2024-09-14 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 465K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh⑩Power MOSFET

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STD5NM50 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.28Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD5NM50 数据手册

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STD5NM50  
STD5NM50-1  
N-CHANNEL 500V - 0.7Ω - 7.5A DPAK/IPAK  
MDmesh™Power MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD5NM50  
STD5NM50-1  
500V  
500V  
<0.8Ω  
<0.8Ω  
7.5 A  
7.5 A  
TYPICAL R (on) = 0.7Ω  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
DS  
3
3
2
1
1
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH  
MANUFACTURING YIELDS  
DPAK  
TO-252  
IPAK  
TO-251  
(Add Suffix “-1”)  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal  
layout. The resulting product has an outstanding low  
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
avalanche characteristics. The adoption of the  
Company’s proprietary strip technique yields overall  
dynamic performance that is significantly better than  
that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing  
system miniaturization and higher efficiencies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
500  
±30  
7.5  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
4.7  
A
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
30  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
0.8  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
15  
T
stg  
– 55 to 150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤ 5A, di/dt ≤ 400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
September 2002  
1/10  
1234567...10

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与STD5NM50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD5NM50-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK/IPAK MDme
STD5NM50AG STMICROELECTRONICS

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 		Automotive-grade N-channel 500 V, 0.7 Ohm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a DPAK packag
STD5NM50T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD5NM60 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.8ohm - 5A DPAK MDmesh Power MOSFET
STD5NM60_08 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh™ Pow
STD5NM60-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 0.9ohm - 8A TO-220/TO-220FP/
STD5NM60T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh™ Pow
STD6 COOPER

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 		Circuit Protection Solutions Low Voltage Fuse Links Catalogue
STD60 SIRECT

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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD60 SIRECTIFIER

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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

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