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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 390 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 65 A | 最大漏极电流 (ID)： | 65 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 260 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD60N55F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET |
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| STD60N55F3TRL | STMICROELECTRONICS |
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80A, 55V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
|
| STD60NF06 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A DPAK STripFET⑩ |
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| STD60NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET |
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| STD60NF3LL | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30V - 0.0075ohm - 60A DPAK STripFET |
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| STD60NF3LL | TI |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.0075ヘ - 60A - DPAK STripFET |
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| STD60NF3LL_06 | TI |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.0075ヘ - 60A - DPAK STripFET |
|
| STD60NF3LLT4 | TI |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.0075ヘ - 60A - DPAK STripFET |
|
| STD60NF55L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 55V - 0.012ohm - 60A DPAK STripFET⑩ |
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| STD60NF55L_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STri |
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