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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD60NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET |
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| STD60NF3LL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.0075ohm - 60A DPAK STripFET |
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| STD60NF3LL | TI |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.0075ヘ - 60A - DPAK STripFET |
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| STD60NF3LL_06 | TI |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.0075ヘ - 60A - DPAK STripFET |
|
| STD60NF3LLT4 | TI |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.0075ヘ - 60A - DPAK STripFET |
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| STD60NF55L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 55V - 0.012ohm - 60A DPAK STripFET⑩ |
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| STD60NF55L_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STri |
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| STD60NF55L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STri |
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| STD60NF55LA | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ |
|
| STD60NF55LAT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ |
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