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STD60NF3LL

更新时间： 2024-01-04 18:54:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 454K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.0075ohm - 60A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STD60NF3LL 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.18Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.0105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD60NF3LL 数据手册

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STD60NF3LL  
N-CHANNEL 30V - 0.0075Ω - 60A DPAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD60NF3LL  
30V  
<0.0095Ω  
60A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0075Ω  
DS  
OPTIMAL RDS(ON) x Qg TRADE-OFF @ 4.5V  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
3
1
DPAK  
TO-252  
DESCRIPTION  
This application specific Power Mosfet is the third  
genaration of STMicroelectronics unique “Single  
Feature Size™” strip-based process. The result-  
ing transistor shows the best trade-off between on-  
resistance ang gate charge. When used as high  
and low side in buck regulators, it gives the best  
performance in terms of both conduction and  
switching losses. This is extremely important for  
motherboards where fast switching and high effi-  
ciency are of paramount importance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY DC/DC  
CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
60  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
43  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
240  
100  
0.67  
700  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
mJ  
E
(1)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
AS  
T
stg  
– 55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) Starting T =25°C, I =30A, V =27.5V  
j
D
DD  
April 2002  
1/9  
1234567...9

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与STD60NF3LL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD60NF3LL_06 TI

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 		N-channel 30V - 0.0075ヘ - 60A - DPAK STripFET
STD60NF3LLT4 TI

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 		N-channel 30V - 0.0075ヘ - 60A - DPAK STripFET
STD60NF55L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 55V - 0.012ohm - 60A DPAK STripFET⑩
STD60NF55L_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STri
STD60NF55L-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STri
STD60NF55LA STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩
STD60NF55LAT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩
STD60NF55LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STri
STD60NH03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET
STD60NH03L_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET

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