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STD602S

更新时间： 2024-01-01 16:31:40

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三合微科 - SAMHOP		/
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8页	120K
描述
Transistor

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STD602S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

STD602S 数据手册

Green

Product

STU/D602S

SamHop Microelectronics Corp.

Aug 26,2006

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

PRODUCT SUMMARY

FEATURES

Super high dense cell design for low RDS(ON).

Rugged and reliable.

VDSS

RDS(ON) ( m

) Max

30 @ VGS = 10V

38 @ VGS = 4.5V

22A

60V

TO-252 and TO-251 Package.

STU SERIES

TO-252AA(D-PAK)

STD SERIES

TO-251(l-PAK)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 C unless otherwise noted)

Unit

Limit

Parameter

Symbol

Drain-Source Voltage

VGS

Gate-Source Voltage

25 C

70 C

Drain Current-Continuous^a@Ta

-Pulsed

Drain-Source Diode Forward Current

Ta= 25 C

Ta=70 C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage

Temperature Range

TJ, TSTG

-55 to 175

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

12 3 4 5 6 7 8

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