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STD60N10

更新时间： 2024-09-28 19:49:11

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	228K
描述
60A, 100V, 0.0195ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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STD60N10 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.0195 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD60N10 数据手册

STD60N10

STP70N10

N-channel 100 V - 0.016 Ω - 60 A TO-220 / DPAK

low R_DS(on)Power MOSFET

Preliminary Data

Features

Type

V_DSS

R_DS(on)max

I_D

STD60N10

STP70N10

100 V

<0.0195 Ω

60 A

65 A

■ Exceptional dv/dt capability

■ Extremely low on-resistance R

■ 100% avalanche tested

DS(on)

DPAK

TO-220

Application

■ Switching applications

Figure 1.

Internal schematic diagram

Description

This Power MOSFET is designed to minimize the

, making it suitable for the most

DS(on)

applications where high power density is required.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

TO-220

DPAK

Packaging

STP70N10

STD60N10

70N10

60N10

Tube

Tape and reel

February 2008

Rev 2

1/12

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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