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STD5NM60

更新时间： 2024-09-14 22:28:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 48K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.8ohm - 5A DPAK MDmesh Power MOSFET

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STD5NM60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.17Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD5NM60 数据手册

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STD5NM60  
N-CHANNEL 600V - 0.8Ω - 5A DPAK  
MDmesh Power MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
V
R
DS(on)  
I
D
DSS  
STD5NM60  
600V  
<0.9Ω  
5 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.8Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH  
MANUFACTORING YIELDS  
3
1
■
■
DPAK  
TO-252  
DESCRIPTION  
The MDmesh is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH horizontal  
layout. The resulting product has an outstanding low  
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
avalanche characteristics. The adoption of the  
Company’s proprietary strip technique yields overall  
dynamic performancethat is significantly better than  
that of similar completition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh family is very suitable for increase  
the power density of high voltage converters allow-  
ing system miniaturization and higher efficiencies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Drain-source Voltage (V = 0)  
Value  
Unit  
V
V
600  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
600  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±30  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
5
A
D
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
3.1  
A
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
20  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
50  
0.4  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
6
T
–65 to 150  
150  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I <5A, di/dt<200A/µs, V <V  
, T <T  
(BR)DSS J JMAX  
SD  
DD  
May 2000  
1/6  
123456

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