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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
17页 | 545K | |
描述 | ||
N沟道950 V、2 Ohm典型值、3.5 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 17 weeks | 风险等级: | 1.52 |
雪崩能效等级(Eas): | 70 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 950 V |
最大漏极电流 (ID): | 3.5 A | 最大漏源导通电阻: | 2.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 14 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD5NB20 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 200V - 0.70ohm - 5A DPAK PowerMESHO MOSFET | |
STD5NB20T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA | |
STD5NB30 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 300V - 0.75 ohm - 5A - DPAK PowerMESH MOSFET | |
STD5NB30T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA | |
STD5NE10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.32 ohm - 5A TO-251/TO-252 STripFET] POWER MOSFET | |
STD5NE10-1 | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA | |
STD5NE10L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.3 ohm - 5A - DPAK/IPAK STripFET POWER MOSFET | |
STD5NE10L1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA | |
STD5NE10L-1 | STMICROELECTRONICS |
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5A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, TO-251, IPAK-3 | |
STD5NE10LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |