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STD5NB20

更新时间： 2024-09-11 22:29:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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5页	55K
描述
N - CHANNEL 200V - 0.70ohm - 5A DPAK PowerMESHO MOSFET

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STD5NB20 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STD5NB20 数据手册

STD5NB20

N - CHANNEL 200V - 0.70Ω - 5A DPAK

PowerMESH MOSFET

PRELIMINARY DATA

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

< 0.8 Ω

I_D

STD5NB20

200 V

5 A

■

TYPICAL R_DS(on)=0.7 Ω

EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

100% AVALANCHE TESTED

VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE CHARGE MINIMIZED

FOR TROUGH-HOLE VERSION CONTACT

SALES OFFICE

DESCRIPTION

DPAK

TO-252

(Suffix "T4")

Using the latest high voltage MESH OVERLAY

process, STMicroelectronics has designed an

advanced family of power MOSFETs with

outstanding performances. The new patent

pending strip layout coupled with the Company’s

proprietary edge termination structure, gives the

lowest R_DS(on)per area, exceptional avalanche

and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge

and switching characteristics.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

HIGH EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS

DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE

POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

■

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Parameter

Value

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

200

± 30

Drain Current (continuous) at T_c= 25 C

I_D

Drain Current (continuous) at T_c= 100 C

_DM(• )

Drain Current (pulsed)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

Derating Factor

0.36

5.5

W/^oC

V/ns

^oC

dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 150

Max. Operating Junction Temperature

150

(•) Pulse width limited by safe operating area

(1) I_SD≤5A, di/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, Tj ≤ T_JMAX

1/5

December 1998

12 3 4 5

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与STD5NB20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD5NB20T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA
STD5NB30	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 300V - 0.75 ohm - 5A - DPAK PowerMESH MOSFET
STD5NB30T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA
STD5NE10	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 100V - 0.32 ohm - 5A TO-251/TO-252 STripFET] POWER MOSFET
STD5NE10-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-251AA
STD5NE10L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 100V - 0.3 ohm - 5A - DPAK/IPAK STripFET POWER MOSFET
STD5NE10L1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-251AA
STD5NE10L-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	5A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, TO-251, IPAK-3
STD5NE10LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA
STD5NE10T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA

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