STD5NB30

更新时间： 2024-09-11 22:29:11

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
9页	95K
描述
N - CHANNEL 300V - 0.75 ohm - 5A - DPAK PowerMESH MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STD5NB30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD5NB30 数据手册

STD5NB30

N - CHANNEL 300V - 0.75

Ω - 5A - DPAK

PowerMESH MOSFET

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STD5NB30

300 V

< 0.9 Ω

5 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.75 Ω

EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

100% AVALANCHE TESTED

VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE CHARGE MINIMIZED

ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE

& REEL

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY

process, STMicroelectronics has designed an

advanced family of power MOSFETs with

outstanding performances. The new patent

pending strip layout coupled with the Company’s

proprietary edge termination structure, gives the

lowest R_DS(on)per area, exceptional avalanche

and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge

and switching characteristics.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE

POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

■

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Parameter

Value

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 k

Gate-source Voltage

300

)

Ω

± 30

Drain Current (continuous) at T_c= 25 C

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

I_D

_DM(• )

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

Derating Factor

0.44

5.5

W/^oC

V/ns

^oC

dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope

T_stg

Storage Temperature

-65 to 150

T_j

Max. Operating Junction Temperature

150

(•) Pulse width limited by safe operating area

( 1) I_SD

≤

5Α, δι/δτ ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, Tj ≤ T_JMAX

1/9

August 1999

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与STD5NB30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD5NB30T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA
STD5NE10	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 100V - 0.32 ohm - 5A TO-251/TO-252 STripFET] POWER MOSFET
STD5NE10-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-251AA
STD5NE10L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 100V - 0.3 ohm - 5A - DPAK/IPAK STripFET POWER MOSFET
STD5NE10L1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-251AA
STD5NE10L-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	5A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, TO-251, IPAK-3
STD5NE10LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA
STD5NE10T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA
STD5NK40Z	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 400V - 1.47ohm - 3A TO-220/TO-220FP
STD5NK40Z-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 400V - 1.47ohm - 3A TO-220/TO-220FP

与STD5NB30相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

77
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

67
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

96
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

109

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STD5NB30

STD5NB30 技术参数

STD5NB30 数据手册

与STD5NB30相关器件

与STD5NB30相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STD5NB30

STD5NB30 技术参数

STD5NB30 数据手册

与STD5NB30相关器件

与STD5NB30相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？