STD12NE06L

更新时间： 2024-01-09 09:01:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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描述
N - CHANNEL 60V - 0.09ohm- 12A TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET

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STD12NE06L

N - CHANNEL 60V - 0.09Ω - 12A TO-251/TO-252

STripFET POWER MOSFET

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STD12NE06L

60 V

< 0.12 Ω

12 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.09 Ω

EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY

100 % AVALANCHE TESTED

APPLICATIONORIENTED

CHARACTERIZATION

■

ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE

& REEL

IPAK

TO-251

(Suffix ”-1”)

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest developmentof

STMicroelectronics unique ”Single Feature

Size ” strip-based process. The resulting transi-

stor shows extremely high packing density for low

on-resistance, rugged avalanche characteristics

and less critical alignment steps therefore a re-

markable manufacturingreproducibility.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES,etc.)

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

SYNCHRONOUS RECTIFICATION

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Parameter

Value

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

± 20

Drain Current (continuous) at T_c= 25 C

I_D

Drain Current (continuous) at T_c= 100 C

_DM(• )

Drain Current (pulsed)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

Derating Factor

0.23

W/^oC

V/ns

^oC

dv/dt(¹) Peak Diode Recovery voltage slope

T_stg

Storage Temperature

-65 to 175

175

T_j

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

( ) I_SD≤ 12 A, di/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_j≤ T_JMAX

1/9

January 2000

12 3 4 5 6 7...9

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STD12NE06L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH21N50	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH58N20	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK48N50	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs

与STD12NE06L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD12NE06L-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-251AA
STD12NE06LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-252AA
STD12NE06T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	12A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3
STD12NF06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STri
STD12NF06_09	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STrip
STD12NF06-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STri
STD12NF06L_07	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06L-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06LAG	STMICROELECTRONICS	获取价格	Automotive-grade N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPA

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