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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 18页 | 511K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 500V - 0.29ヘ - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | TO-252, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD12NM50ND | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A, FDmesh™ II Pow |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD12NM50ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A, FDmesh™ II Pow |
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| STD12NM50NDTRL | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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| STD12NM50NT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
11A, 500V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK, 3 PIN |
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| STD12W | TE |
获取价格 |
tyco electronics contents |
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| STD12W0 | TE |
获取价格 |
tyco electronics contents |
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| STD12W-0 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STD12W1 | TE |
获取价格 |
tyco electronics contents |
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| STD12W-1 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STD12W2 | TE |
获取价格 |
tyco electronics contents |
|
| STD12W-2 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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