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STD12NF06L-1

更新时间: 2024-02-03 07:55:43
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 323K
描述
N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET

STD12NF06L-1 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-251包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.69Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):100 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A最大漏极电流 (ID):12 A
最大漏源导通电阻:0.12 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):48 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STD12NF06L-1 数据手册

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STD12NF06L  
STD12NF06L-1  
N-channel 60V - 0.08- 12A - DPAK - IPAK  
STripFET™ II Power MOSFET  
General features  
VDSSS  
RDS(on)  
ID  
Type  
STD12NF06L  
60V  
60V  
<0.1Ω  
<0.1Ω  
12A  
12A  
3
3
STD12NF06L-1  
2
1
1
Exceptional dv/dt capability  
Low gate charge  
DPAK  
IPAK  
Description  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique "Single Feature  
Size™" strip-based process. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and less critical alignment steps  
therefore a remarkable manufacturing  
reproducibility.  
Internal schematic diagram  
Applications  
Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STD12NF06LT4  
STD12NF06L-1  
D12NF06L  
D12NF06L  
DPAK  
IPAK  
Tape & reel  
Tube  
February 2007  
Rev 6  
1/14  
www.st.com  
14  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06T4-1 STMICROELECTRONICS

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