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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD12NF06L-1
STD12NF06L-1 PDF预览

STD12NF06L-1

更新时间： 2024-11-01 02:51:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 323K
描述
N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET

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STD12NF06L-1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.69Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD12NF06L-1 数据手册

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STD12NF06L  
STD12NF06L-1  
N-channel 60V - 0.08Ω - 12A - DPAK - IPAK  
STripFET™ II Power MOSFET  
General features  
VDSSS  
RDS(on)  
ID  
Type  
STD12NF06L  
60V  
60V  
<0.1Ω  
<0.1Ω  
12A  
12A  
3
3
STD12NF06L-1  
2
1
1
■ Exceptional dv/dt capability  
■ Low gate charge  
DPAK  
IPAK  
Description  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique "Single Feature  
Size™" strip-based process. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and less critical alignment steps  
therefore a remarkable manufacturing  
reproducibility.  
Internal schematic diagram  
Applications  
■ Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STD12NF06LT4  
STD12NF06L-1  
D12NF06L  
D12NF06L  
DPAK  
IPAK  
Tape & reel  
Tube  
February 2007  
Rev 6  
1/14  
www.st.com  
14  
1234567...14

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STD12NF06L-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD12NF06LT4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

类似代替

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STP55NF06 STMICROELECTRONICS

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD12NF06LAG STMICROELECTRONICS

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 		Automotive-grade N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPA
STD12NF06LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06T4-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STrip
STD12NF06T4T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STrip
STD12NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500V - 0.29ヘ - 11A - TO-220 /FP- D2
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 		N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A, FDmesh™ II Pow
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 		暂无描述
STD12NM50NT4 STMICROELECTRONICS

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 		11A, 500V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK, 3 PIN
STD12W TE

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