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STD12NF06T4T4

更新时间： 2024-11-01 09:01:11

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	338K
描述
N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STripFET? II Power MOSFET

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STD12NF06T4T4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	Base Number Matches：	1

STD12NF06T4T4 数据手册

STD12NF06

STD12NF06T4

N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK

STripFET™ II Power MOSFET

Features

V_DSSS

R_DS(on)

I_D

Type

STD12NF06

60V

<0.1Ω

12A

STD12NF06T4

12A

DPAK

IPAK

■ Exceptional dv/dt capability

■ Low gate charge

Applications

■ Switching application

Figure 1.

Internal schematic diagram

Description

This Power MOSFET is the latest development of

STMicroelectronics unique "single feature size"

strip-based process. The resulting transistor

shows extremely high packing density for low on-

resistance, rugged avalanche characteristics and

less critical alignment steps therefore a

remarkable manufacturing reproducibility.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STD12NF06T4T4

STD12NF06T4-1

D12NF06

DPAK

IPAK

Tape and reel

Tube

November 2009

Doc ID 8431 Rev 7

1/14

www.st.com

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STD12NM50ND	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A, FDmesh™ II Pow
STD12NM50NDTRL	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
STD12NM50NT4	STMICROELECTRONICS	获取价格	11A, 500V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK, 3 PIN
STD12W	TE	获取价格	tyco electronics contents
STD12W0	TE	获取价格	tyco electronics contents
STD12W-0	TE	获取价格	STD and STB Markers
STD12W1	TE	获取价格	tyco electronics contents
STD12W-1	TE	获取价格	STD and STB Markers
STD12W2	TE	获取价格	tyco electronics contents