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STD12NF06T4-1

更新时间: 2024-11-20 09:01:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 338K
描述
N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STripFET? II Power MOSFET

STD12NF06T4-1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-251
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.74雪崩能效等级(Eas):140 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A
最大漏极电流 (ID):12 A最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):48 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STD12NF06T4-1 数据手册

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STD12NF06  
STD12NF06T4  
N-channel 60 V, 0.08, 12 A, DPAK, IPAK  
STripFET™ II Power MOSFET  
Features  
VDSSS  
RDS(on)  
ID  
Type  
STD12NF06  
60V  
60V  
<0.1Ω  
<0.1Ω  
12A  
3
3
STD12NF06T4  
12A  
2
1
1
DPAK  
IPAK  
Exceptional dv/dt capability  
Low gate charge  
Applications  
Switching application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique "single feature size"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a  
remarkable manufacturing reproducibility.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STD12NF06T4T4  
STD12NF06T4-1  
D12NF06  
D12NF06  
DPAK  
IPAK  
Tape and reel  
Tube  
November 2009  
Doc ID 8431 Rev 7  
1/14  
www.st.com  
14  

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