是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-251 |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.74 | 雪崩能效等级(Eas): | 140 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 48 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD12NF06T4T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STrip | |
STD12NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500V - 0.29ヘ - 11A - TO-220 /FP- D2 | |
STD12NM50ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A, FDmesh™ II Pow | |
STD12NM50NDTRL | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 | |
STD12NM50NT4 | STMICROELECTRONICS |
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11A, 500V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK, 3 PIN | |
STD12W | TE |
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tyco electronics contents | |
STD12W0 | TE |
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tyco electronics contents | |
STD12W-0 | TE |
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STD and STB Markers | |
STD12W1 | TE |
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tyco electronics contents | |
STD12W-1 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |