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STD12NE06LT4

更新时间： 2024-02-17 19:47:38
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲
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9页 105K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252AA

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STD12NE06LT4 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.25
Is Samacsys：N其他特性：STRIPFET
雪崩能效等级（Eas）：75 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD12NE06LT4 数据手册

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STD12NE06L  
N - CHANNEL 60V - 0.09Ω - 12A TO-251/TO-252  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD12NE06L  
60 V  
< 0.12 Ω  
12 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.09 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY  
100 % AVALANCHE TESTED  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
1
1
■
ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE  
& REEL  
IPAK  
TO-251  
(Suffix ”-1”)  
DPAK  
TO-252  
(Suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest developmentof  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES,etc.)  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
60  
60  
V
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
12  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
8
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
48  
35  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
Derating Factor  
0.23  
6
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤ 12 A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/9  
January 2000  
1234567...9

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与STD12NE06LT4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD12NE06T4 STMICROELECTRONICS

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 		12A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3
STD12NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STri
STD12NF06_09 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STrip
STD12NF06-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STri
STD12NF06L_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06L-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06LAG STMICROELECTRONICS

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 		Automotive-grade N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPA
STD12NF06LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr
STD12NF06T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STr

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