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STD12NE06T4 PDF预览

STD12NE06T4

更新时间： 2024-11-20 18:40:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 355K
描述
12A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3

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STD12NE06T4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：TO-252, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：45 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD12NE06T4 数据手册

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STD12NE06  
®
N - CHANNEL 60V - 0.08Ω - 12A - IPAK/DPAK  
SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET  
TYPE  
STD12NE06  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
60 V  
< 0.10 Ω  
12 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.08 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100 % AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
■
ADD SUFFIX "T4" FOR ORDERING IN TAPE  
& REEL  
1
1
DESCRIPTION  
IPAK  
TO-251  
(Suffix "-1")  
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique "Single Feature  
Size " strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES,etc.)  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
60  
60  
V
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
12  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
8
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
48  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
35  
0.23  
W
Derating Factor  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
6
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 12 A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/10  
March 1999  
1234567...10

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STD12NE06T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD12NF06-1 STMICROELECTRONICS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr
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