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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-XXMA-X2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 击穿电压标称值： | 680 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XXMA-X2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 60000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 400 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 510 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB60K750S | SSDI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 60000W, 560V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| STB60K75P | SSDI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 60000W, 56V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| STB60K89S | SSDI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 60000W, 62V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
| STB60K9.8P | SSDI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 60000W, 6.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| STB60K98S | SSDI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 60000W, 68V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
| STB60N03L-10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STB60N03L-10-1 | STMICROELECTRONICS |
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60A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3 |
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| STB60N03L-10T4 | STMICROELECTRONICS |
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60A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
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| STB60N06-14 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STB60N06-14-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-262AA |
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