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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 87K | |
描述 | ||
N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | D2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.67 |
雪崩能效等级(Eas): | 400 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A | 最大漏极电流 (ID): | 60 A |
最大漏源导通电阻: | 0.016 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 240 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB60NE06L-16T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB | |
STB60NF03L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET | |
STB60NF03LT4 | STMICROELECTRONICS |
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60A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 | |
STB60NF06 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET | |
STB60NF06_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK ST | |
STB60NF06-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK ST | |
STB60NF06-1T4 | STMICROELECTRONICS |
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60A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 | |
STB60NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220 | |
STB60NF06L_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/T | |
STB60NF06LT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.012Ω - 60A - TO-220/D2PAK/ |