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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB60NF10
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STB60NF10

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 232K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET

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STB60NF10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

STB60NF10 数据手册

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STB60NF10  
STP60NF10  
N-CHANNEL 100V - 0.019 Ω - 80A D²PAK/TO-220  
STripFET™ II POWER MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1:Package  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STB60NF10  
STP60NF10  
100 V  
100 V  
< 0.023 Ω  
< 0.023 Ω  
80 A  
80 A  
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.019 Ω  
EXTREMELY HIGHL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
3
SURFACE-MOUNTING D²PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
1
3
2
2
D PAK  
TO-263  
1
(Suffix “T4”)  
TO-220  
DESCRIPTION  
This MOSFET series realized with STMicroelec-  
tronics unique STripFET™ process has specifical-  
ly been designed to minimize input capacitance  
and gate charge. It is therefore suitable as primary  
switch in advanced high-efficiency, high-frequency  
isolated DC-DC converters for Telecom and Com-  
puter applications. It is also intended for any appli-  
cations with low gate drive requirements.  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
■
HIGH EFFICIENCY DC/DC CONVERTERS,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.  
MOTOR CONTROL  
■
Table 2: Ordering Information  
SALES TYPE  
STB60NF10T4  
MARKING  
B60NF10  
P60NF10  
PACKAGE  
TO-263  
TO-220  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
TUBE  
STP60NF10  
Table 3:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
100  
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
100  
V
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
V
GS  
I (*)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
80  
A
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
66  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
320  
A
DM  
P
tot  
Total Dissipation at T = 25°C  
300  
W
C
Derating Factor  
2
W/°C  
V/ns  
mJ  
°C  
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
16  
485  
dv/dt  
(2)  
E
AS  
T
stg  
-55 to 175  
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(**) Current Limited by Package  
(1) I ≤80A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 40A, V = 30V  
j
D
DD  
Rev. 2.0  
May 2005  
1/10  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB60NF10_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.019Ω - 80A - TO-220 - D2PA
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