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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 11页 | 425K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 24 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB60NH02L_04 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET |
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| STB60NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET |
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| STB6100 | STMICROELECTRONICS |
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8PSK/QPSK direct conversion tuner IC |
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| STB6100_09 | STMICROELECTRONICS |
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8PSK/QPSK direct conversion tuner IC |
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| STB6100T | STMICROELECTRONICS |
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8PSK/QPSK direct conversion tuner IC |
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| STB6510 | EIC |
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SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| STB6511 | EIC |
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SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| STB6512 | EIC |
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SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| STB6513 | EIC |
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SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| STB6515 | EIC |
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SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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