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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 650 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB60NF06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET |
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| STB60NF06_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK ST |
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| STB60NF06-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK ST |
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| STB60NF06-1T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
60A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
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| STB60NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220 |
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| STB60NF06L_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/T |
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| STB60NF06LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60V - 0.012Ω - 60A - TO-220/D2PAK/ |
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| STB60NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK ST |
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| STB60NF10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
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| STB60NF10_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100V - 0.019Ω - 80A - TO-220 - D2PA |
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