生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.82 | 雪崩能效等级(Eas): | 390 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0085 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB60NE03L10 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB | |
STB60NE03L-10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE | |
STB60NE03L-10T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB | |
STB60NE03L-12 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.009 OHM - 60A - D2PAK SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET | |
STB60NE03L-12T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB | |
STB60NE06-1 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET | |
STB60NE06-16 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET | |
STB60NE06-16T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB | |
STB60NE06L-16 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET | |
STB60NE06L-16T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB |