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STB60K98S

更新时间： 2024-02-24 07:11:40

品牌	Logo	应用领域
SSDI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	77K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 60000W, 68V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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STB60K98S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-XXMA-X2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
击穿电压标称值：	98 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-XXMA-X2	最大非重复峰值反向功率耗散：	60000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	400 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	68 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
Base Number Matches：	1

STB60K98S 数据手册

STA60K79S thru

STA60K1000S

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

60,000 WATTS

PEAK PULSE POWER

79 – 1000 VOLTS

HIGH VOLTAGE BIDIRECTIONAL

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

Designer’s Data Sheet

FEATURES:

•

79-1000 Volt Bidirectional

Smaller than 60KS200C Types

Hermetically Sealed

Meets all environmental requirements of MIL-PRF-19500

Custom Configurations Available

TX and TXV Screening Available

APPLICATIONS:

•

Protection of Voltage Sensitive Components

Protection Against Power Interruption

Lightning Protection

Maximum Ratings (note 2)

56 - 750 Volts

Stand Off Voltage

V_RWM

Steady State Power Dissipation

400 Watts

P_D

Peak Pulse Power @ 1.0 msec

60,000 Watts

P_PP

Peak Pulse Power and Steady

State Power Derating

SEE GRAPH

Peak Pulse Power and Pulse

Width

SEE GRAPH

Operating and Storage

Temperature

-65°C to +175°C

Note:

SSDI Transient Suppressors offer standard Breakdown Voltage Tolerances

of + 10% (A) and + 5% (B). For other Voltage and Voltage Tolerances,

contact SSDI's Marketing Department

Package shown is standard configuration. SSDI can custom

design your module with terminals that meet your unique

design criteria. Additionally, SSDI can package these

devices with an irregular footprint or offset mounting

positions. This data sheet is meant to serve as an example of

SSDI's Transient Protection Module Capabilities. For

custom configurations, please contact SSDI's Marketing

Department.

PEAK PULSE POWER VS. TEMPERATURE DERATING CURVE

AMBIENT TEMPERATURE (°C)

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: T00014D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STB60N03L-10	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB60N03L-10-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	60A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3
STB60N03L-10T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	60A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
STB60N06-14	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB60N06-14-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| TO-262AA
STB60N55F3	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET
STB60N55F3_09	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 55 V, 6.5 mΩ, 80 A, DPAK, IPAK, D2P
STB60N55F3TRL	STMICROELECTRONICS	获取价格	80A, 55V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AA, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
STB60NE03L10	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| TO-263AB
STB60NE03L-10	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE

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