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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB60NE03L-12
STB60NE03L-12 PDF预览

STB60NE03L-12

更新时间： 2024-11-25 22:06:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 53K
描述
N - CHANNEL 30V - 0.009 OHM - 60A - D2PAK SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

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STB60NE03L-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB60NE03L-12 数据手册

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STB60NE03L-12  
®
2
N - CHANNEL 30V - 0.009 Ω - 60A - D PAK  
"SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
STB60NE03L-12  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
30 V  
<0.012 Ω  
60 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.009 Ω  
AVALANCE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
3
1
D2PAK  
CHARACTERIZATION  
TO-263  
(Suffix "T4")  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique "Single Feature  
Size " strip-based  
process. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and less critical alignment steps  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
therefore  
a
remarkable  
manufacturing  
reproducibility.  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTER  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
VDGR  
VGS  
ID  
30  
± 20  
60  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
42  
A
IDM(•)  
Ptot  
Drain Current (pulsed)  
240  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
100  
W
Derating Factor  
0.67  
7
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 60 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/5  
July 1998  
12345

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与STB60NE03L-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB60NE03L-12T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB
STB60NE06-1 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB60NE06-16 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB60NE06-16T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB
STB60NE06L-16 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET
STB60NE06L-16T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB
STB60NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET
STB60NF03LT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		60A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
STB60NF06 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET
STB60NF06_06 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK ST

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