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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB60NE03L-12 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 30V - 0.009 OHM - 60A - D2PAK SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STB60NE03L-12T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB |
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| STB60NE06-1 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STB60NE06-16 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| STB60NE06-16T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB |
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| STB60NE06L-16 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET |
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| STB60NE06L-16T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB |
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| STB60NF03L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET |
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| STB60NF03LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
60A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| STB60NF06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET |
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