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STB1132

更新时间： 2024-11-25 22:21:15

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STB1132 技术参数

STB1132

Semiconductor

PNP Silicon Transistor

Description

• Medium power amplifier

Features

• P_C(Collector dissipation)=2W(Ceramic substate of 40×40×0.8mm used)

• Low collector saturation voltage : V_CE(sat)=-0.2V(Typ.)

• Complementary pair with STD1664

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

STB1132

SOT-89

: h_FErank, monthly code

Outline Dimensions

unit : ^mm

-0.3

+0.5

4.0

-0.3

+0.2

0.50±0.1

1.00±0.3

2.5

PIN Connections

1. Base

2. Collector

3. Emitter

KST-8001-002

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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