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STB11N65M5

更新时间： 2023-09-23 06:48:50
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
25页 1281K
描述
N沟道650 V、0.43 Ohm典型值、9 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装

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STB11N65M5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：2.31
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：650 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.48 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：85 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB11N65M5 数据手册

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STB11N65M5, STD11N65M5, STF11N65M5,  
STP11N65M5, STU11N65M5  
N-channel 650 V, 0.43 Ω typ., 9 A MDmesh™ V Power MOSFET  
in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages  
Datasheet — production data  
Features  
TAB  
TAB  
2
1
VDSS  
TJmax  
@
RDS(on)  
max  
2
3
Order codes  
ID  
3
1
3
2
D2PAK  
DPAK  
1
STB11N65M5  
STD11N65M5  
STF11N65M5  
STP11N65M5  
STU11N65M5  
TO-220FP  
TAB  
710 V  
< 0.48 Ω  
9 A  
3
2
1
3
2
1
IPAK  
TO-220  
■ Worldwide best RDS(on) * area  
■ Higher VDSS rating and high dv/dt capability  
■ Excellent switching performance  
■ 100% avalanche tested  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
$ꢅꢆꢇ 4!"ꢈ  
Applications  
■ Switching applications  
'ꢅꢁꢈ  
Description  
These devices are N-channel MDmesh™ V  
Power MOSFETs based on an innovative  
proprietary vertical process technology, which is  
combined with STMicroelectronics’ well-known  
PowerMESH™ horizontal layout structure. The  
resulting product has extremely low on-  
3ꢅꢉꢈ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
resistance, which is unmatched among silicon-  
based Power MOSFETs, making it especially  
suitable for applications which require superior  
power density and outstanding efficiency.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D2PAK  
Packaging  
STB11N65M5  
STD11N65M5  
STF11N65M5  
STP11N65M5  
STU11N65M5  
Tape and reel  
Tube  
DPAK  
TO-220FP  
TO-220  
IPAK  
11N65M5  
December 2012  
Doc ID 022864 Rev 2  
1/25  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
25  
1234567...25

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STB11N65M5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD11N65M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N沟道650 V、0.43 Ohm典型值、9 A MDmesh M5功率MOSFET，DP

与STB11N65M5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB11NB40 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
STB11NB40-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
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 		N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
STB11NK40Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 400V - 0.49ohm - 9A TO-220/TO-220FP
STB11NK40Z_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 400V - 0.49Ω - 9A TO-220 - TO-220FP
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 		N-channel 400 V, 0.49 Ω, 9 A, TO-220, TO-220F
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 		N-channel 400 V, 0.49 Ω, 9 A, TO-220, TO-220F
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 		N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220F
STB11NK50Z_08 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500 V, 0.48 Ω , 10 A TO-220, TO-220
STB11NK50ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500 V, 0.48 Ω , 10 A TO-220, TO-220

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