5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 11页 | 369K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB11NM60FD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.40OHM - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh TM Power MOSFET (with |
|
| STB11NM60FD-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE |
|
| STB11NM60FDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE |
|
| STB11NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO |
|
| STB11NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.37ヘ - 10A - TO-220/FP- I/I |
|
| STB11NM60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650V TJmax - 0.4OHM - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET |
|
| STB11NM60Z-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
11A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, I2PAK-3 |
|
| STB11NM60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
11A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
|
| STB11NM80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET |
|
| STB11NM80_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800 V - 0.35 ヘ - 11 A - TO-220/FP- |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
