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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, I2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB11NM60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
11A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
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| STB11NM80 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET |
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| STB11NM80_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800 V - 0.35 ヘ - 11 A - TO-220/FP- |
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| STB12-0-0 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB12-0-1 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STB12-0-2 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STB12-0-3 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STB12-0-4 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STB12-0-5 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STB12-0-6 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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