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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB120NF10
STB120NF10 PDF预览

STB120NF10

更新时间： 2024-11-20 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 396K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET

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STB120NF10 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.22Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：550 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A
最大漏极电流 (ID)：110 A最大漏源导通电阻：0.0105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：312 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：440 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Bright Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB120NF10 数据手册

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STB120NF10  
STP120NF10  
N-CHANNEL 100V - 0.009 Ω - 120A D²PAK/TO-220  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB120NF10  
STP120NF10  
100 V  
100 V  
< 0.0105 Ω  
< 0.0105 Ω  
120 A  
120 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.009 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
3
2
2
D PAK  
TO-263  
1
■
SURFACE-MOUNTING D²PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
(Suffix “T4”)  
TO-220  
DESCRIPTION  
This MOSFET series realized with STMicroelectronics  
unique STripFET process has specifically been designed  
to minimize the on-resistance. It is therefore suitable as  
primary switch in advanced high-efficiency, high-  
frequency isolated DC-DC converters for Telecom and  
Computer applications. It is also intended for any  
applications with low gate drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
AUDIO AMPLIFIERS  
■
POWER TOOLS  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STB120NF10  
STP120NF10  
MARKING  
B120NF10  
P120NF10  
PACKAGE  
TO-263  
TO-220  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
TUBE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
100  
100  
± 20  
120  
85  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
480  
312  
2.08  
10  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
(2)  
E
550  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤120A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
j
o
(2) Starting T = 25 C, I = 60A, V = 50V  
j
D
DD  
May 2003  
1/10  
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STB120NF10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB120NF10T4 STMICROELECTRONICS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N-channel 100 V, 0.009 Ω, 110 A STripFET™
STB120NH03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STB120NH03LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STB12-1-0 TE

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 		STD and STB Markers
STB12-1-1 TE

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