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STB120NH03L PDF预览

STB120NH03L

更新时间： 2024-02-17 21:24:21
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体转换器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 422K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION

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STB120NH03L 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：LOW THRESHOLD
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.0105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：115 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB120NH03L 数据手册

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STB120NH03L  
2
N-CHANNEL 30V - 0.005 Ω - 60A D PAK  
STripFET™ III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB120NH03L  
30 V  
<0.0055 Ω  
60 A(#)  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.005 Ω @ 10 V  
DS  
R
* Qg INDUSTRY’s BENCHMARK  
DS(ON)  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
3
LOW THRESHOLD DEVICE  
1
2
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)  
2
D PAK  
TO-263  
(Suffix “T4”)  
DESCRIPTION  
The STB120NH03L utilizes the latest advanced design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. It is ideal  
in high performance DC-DC converter applications where  
efficiency is to be achieved at very high output currents.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY DC-DC  
CONVERTERS  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STB120NH03LT4  
MARKING  
B120NH03L  
PACKAGE  
TO-252  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V  
= 0)  
30  
30  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R  
Gate- source Voltage  
= 20 kΩ)  
GS  
V
DGR  
V
GS  
± 20  
60  
V
I (#)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I (#)  
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
60  
A
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
240  
115  
0.77  
700  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
mJ  
(1)  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
o
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) Starting T = 25 C, I = 30A, V  
= 15V  
DD  
j
D
(#) Value limited by wire bonding  
October 2003  
1/11  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB120NH03LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STB12-1-0 TE

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STB12-1-1 TE

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