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STB11NM60

更新时间： 2024-09-27 22:10:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 552K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

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STB11NM60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.75Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：350 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB11NM60 数据手册

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STP11NM60 - STP11NM60FP  
STB11NM60 - STB11NM60-1  
N-CHANNEL 600V - 0.4Ω-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK  
MDmesh™Power MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP11NM60  
STP11NM60FP  
STB11NM60  
STB11NM60-1  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
< 0.45 Ω  
< 0.45 Ω  
< 0.45 Ω  
< 0.45 Ω  
11 A  
11 A  
11 A  
11 A  
3
3
2
1
2
1
TYPICAL R (on) = 0.4Ω  
DS  
TO-220  
TO-220FP  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
3
3
1
2
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
1
2
2
D PAK  
I PAK  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal  
layout. The resulting product has an outstanding low  
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
avalanche characteristics. The adoption of the  
Company’s proprietary strip technique yields overall  
dynamic performance that is significantly better than  
that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing  
system miniaturization and higher efficiencies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP(B)11NM60(-1)  
Unit  
STP11NM60FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
600  
600  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
11  
7
11 (*)  
7 (*)  
44 (*)  
35  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
44  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
160  
1.28  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.28  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
15  
V
--  
2500  
ISO  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(*)Limited only by maximum temperature allowed  
(1)I <11A, di/dt<400A/µs, V <V , T <T  
JMAX  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
May 2003  
SD  
DD  
(BR)DSS  
J
1/12  
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