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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB11NM60FD | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.40OHM - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh TM Power MOSFET (with |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB11NM60FDT4 | STMICROELECTRONICS |
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| STB11NM60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
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11A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
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| STB11NM80_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 800 V - 0.35 ヘ - 11 A - TO-220/FP- |
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