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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 11页 | 250K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 530 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB11NB40T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET |
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| STB11NK40Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 400V - 0.49ohm - 9A TO-220/TO-220FP |
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| STB11NK40Z_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 400V - 0.49Ω - 9A TO-220 - TO-220FP |
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| STB11NK40Z_09 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 400 V, 0.49 Ω, 9 A, TO-220, TO-220F |
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| STB11NK40ZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 400 V, 0.49 Ω, 9 A, TO-220, TO-220F |
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| STB11NK50Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220F |
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| STB11NK50Z_08 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.48 Ω , 10 A TO-220, TO-220 |
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| STB11NK50ZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.48 Ω , 10 A TO-220, TO-220 |
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| STB11NM60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D |
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| STB11NM60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D |
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