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STB11N52K3 PDF预览

STB11N52K3

更新时间： 2024-11-26 12:03:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
20页 1160K
描述
N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET

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STB11N52K3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：8.41其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：525 V最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.51 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB11N52K3 数据手册

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STB11N52K3, STF11N52K3  
STP11N52K3  
N-channel 525 V, 0.41 Ω, 10 A SuperMESH3™ Power MOSFET  
in D²PAK,TO-220FP and TO-220 packages  
Datasheet — production data  
Features  
TAB  
RDS(on)  
max.  
Order codes  
VDSS  
ID  
Pw  
3
3
STB11N52K3  
125 W  
2
2
1
1
STF11N52K3 525 V  
STP11N52K3  
< 0.51 Ω  
10 A 30 W  
125 W  
TO-220  
TO-220FP  
TAB  
■ 100% avalanche tested  
■ Extremely high dv/dt capability  
■ Gate charge minimized  
3
1
D²PAK  
■ Very low intrinsic capacitance  
■ Improved diode reverse recovery  
characteristics  
■ Zener-protected  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
D(2,TAB)  
Applications  
■ Switching applications  
Description  
G(1)  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
made using the SuperMESH3™ technology that  
is obtained via improvements applied to  
STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology  
combined with a new optimized vertical structure.  
The resulting transistor has an extremely low on  
resistance, superior dynamic performance and  
high avalanche capability, making it especially  
suitable for the most demanding applications.  
S(3)  
AM01476v1  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Packages  
Packaging  
STB11N52K3  
STF11N52K3  
STP11N52K3  
D²PAK  
TO-220FP  
TO-220  
Tape and reel  
Tube  
11N52K3  
Tube  
March 2012  
Doc ID 018868 Rev 2  
1/20  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
20  
1234567...20

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STB11N52K3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP11N52K3 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET
STB11NK50ZT4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 500 V, 0.48 Ω , 10 A TO-220, TO-220

与STB11N52K3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB11N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、0.43 Ohm典型值、9 A MDmesh M5功率MOSFET，D2
STB11NB40 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
STB11NB40-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
STB11NB40T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
STB11NK40Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 400V - 0.49ohm - 9A TO-220/TO-220FP
STB11NK40Z_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 400V - 0.49Ω - 9A TO-220 - TO-220FP
STB11NK40Z_09 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 400 V, 0.49 Ω, 9 A, TO-220, TO-220F
STB11NK40ZT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 400 V, 0.49 Ω, 9 A, TO-220, TO-220F
STB11NK50Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220F
STB11NK50Z_08 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500 V, 0.48 Ω , 10 A TO-220, TO-220

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