STB1188

更新时间： 2024-11-26 12:20:23

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可天士 - KODENSHI		晶体小信号双极晶体管放大器
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5页	290K
描述
PNP Silicon Transistor

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STB1188 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz

STB1188 数据手册

STB1188

PNP Silicon Transistor

Description

PIN Connection

 Medium power amplifier

Features

 P_C(Collector power dissipation)=1W

(Ceramic substrate of 250 ㎟×0.8t used)

 Low collector saturation voltage : V_CE(sat)=-0.5V (Typ.)

 Complementary pair with STD1766

SOT-89

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

YWW

STB1188

SOT-89

B1: Device code, YWW (Y : Year code, WW : Week code)

Absolute maximum ratings

(Ta=25C)

Characteristic

Symbol

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

V_CBO

-40

V_CEO

V_EBO

I_C

-32

-5

-2

P_C

0.5

Collector power dissipation

P_C

Junction temperature

Storage temperature

T_J

150

C

T_stg

T_opr

-55~150

-40~125

Operating temperature range

: When mounted on ceramic substrate (250 ㎟×0.8t)

KSD-T5B022-002

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