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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.68 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0279 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM3J338R,LF | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F |
|
| SSM3J340R | TOSHIBA |
获取价格 |
P-ch MOSFET, -30 V, -4.0 A, 0.045 Ω@10V, SOT- |
|
| SSM3J351R | TOSHIBA |
获取价格 |
P-ch MOSFET, -60 V, -3.5 A, 0.134 Ω@10V, SOT- |
|
| SSM3J352F | TOSHIBA |
获取价格 |
P-ch MOSFET, -20 V, -2.0 A, 0.11 Ω@10V, SOT-3 |
|
| SSM3J353F | TOSHIBA |
获取价格 |
P-ch MOSFET, -30 V, -2.0 A, 0.15 Ω@10V, SOT-3 |
|
| SSM3J355R | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| SSM3J356R | TOSHIBA |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET |
|
| SSM3J356R,LXGF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| SSM3J358R | TOSHIBA |
获取价格 |
P-ch MOSFET, -20 V, -6.0 A, 0.0253 Ω@4.5V, SO |
|
| SSM3J35AFS | TOSHIBA |
获取价格 |
P-ch MOSFET, -20 V, -0.25 A, 1.4 Ω@4.5V, SOT- |
|
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