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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM3J356R,LXGF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SSM3J358R | TOSHIBA |
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P-ch MOSFET, -20 V, -6.0 A, 0.0253 Ω@4.5V, SO |
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| SSM3J35AFS | TOSHIBA |
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P-ch MOSFET, -20 V, -0.25 A, 1.4 Ω@4.5V, SOT- |
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| SSM3J35AMFV | TOSHIBA |
获取价格 |
P-ch MOSFET, -20 V, -0.25 A, 1.4 Ω@4.5V, SOT- |
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| SSM3J35CT | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CST3, 2-1J1B, 3 PIN, FET Gen |
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| SSM3J35CTC | TOSHIBA |
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Small Signal MOS FET (Single) |
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| SSM3J35FS | TOSHIBA |
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P-ch MOSFET, -20 V, -0.1 A, 8.0 Ω@4V, SOT-416 |
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| SSM3J35MFV | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 130 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, VESM, 3 PIN, FET General Pur |
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| SSM3J36FS | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Management Switches |
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| SSM3J36FS,LF(T | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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