5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPP15N65C3
SPP15N65C3 PDF预览

SPP15N65C3

更新时间： 2024-09-28 09:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 254K
描述
CoolMOSTM Power Transistor Features High peak current capability

阅读下载

中文翻译

获取价格

SPP15N65C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.79Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：650 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：156 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPP15N65C3 数据手册

 浏览型号SPP15N65C3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPP15N65C3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SPP15N65C3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPP15N65C3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPP15N65C3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPP15N65C3的Datasheet PDF文件第7页 
SPP15N65C3  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
650  
0.28  
63  
V
• Low gate charge  
R DS(on),max  
Q g,typ  
Ω
• Extreme dv/dt rated  
nC  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
PG-TO220-3-1  
CoolMOS C3 designed for:  
• Notebook Adapter  
Type  
Package  
Marking  
SPP15N65C3  
PG-TO220-3  
15N65C3  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
15  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
9.4  
Pulsed drain current3)  
45  
I D,pulse  
E AS  
I D=3 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
460  
mJ  
2),3)  
3),4)  
E AR  
I D=5 A, V DD=50 V  
0.8  
5.0  
Avalanche energy, repetitive t AR  
I AR  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
V
DS=0...480 V  
50  
±20  
MOSFET dv /dt ruggedness  
dv /dt  
V/ns  
V
V GS  
Gate source voltage  
static  
±30  
AC (f>1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
156  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 2.0  
page 1  
2007-12-13  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

SPP15N65C3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPP65R280C6XKSA1 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP65R280C6 INFINEON

类似代替

 650V CoolMOS C6 Power Transistor

与SPP15N65C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPP15P06P INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
SPP15P10P INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
SPP15P10P_09 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS® Small-Signal-Transistor Features P-Ch
SPP15P10PG INFINEON

获取价格

 		SIPMOS® Small-Signal-Transistor Features P-Ch
SPP15P10PGHKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SPP15P10PH INFINEON

获取价格

 		暂无描述
SPP15P10PHXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SPP15P10PL H INFINEON

获取价格

 		Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie
SPP15P10PLG INFINEON

获取价格

 		SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel E
SPP15P10PLGHKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

与SPP15N65C3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证