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SPP15P10PLHXKSA1

更新时间： 2024-09-28 20:05:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 764K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SPP15P10PLHXKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.6
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：230 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPP15P10PLHXKSA1 数据手册

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SPP15P10PL H  
SIPMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
-100  
0.20  
-15  
V
:
A
• P-Channel  
R DS(on),max  
I D  
• Enhancement mode  
• logic level  
• Avalanche rated  
PG-TO220-3  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
° Halogen-free according to IEC61249-2-21  
° Qualified according to AEC Q101  
Type  
Package  
Marking  
Lead free Packing  
Yes Non dry  
SPP15P10PL H PG-TO220-3  
15P10PL  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
-15  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
11.3  
I D,pulse  
E AS  
-60  
Pulsed drain current  
230  
I D=-15 A, R GS=25 :  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
20  
P tot  
T C=25 °C  
128  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 175  
1C (1kV to 2kV)  
260 °C  
55/175/56  
Operating and storage temperature  
ESD Class  
Soldering temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Rev 1.4  
page 1  
2011-09-01  
1234567...10

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